第一原理シミュレーションによる大気圧プラズマCVD 中の表面反応の解析

Si(001)表面へのH ラジカル照射効果

抄録

水素終端Si(001)2x1表面にHラジカルを0～0.2eV程度の運動エネルギーで照射する第一原理分子動力学シミュレーションを実行した。0.1eV以下程度の運動エネルギーで照射した場合、H₂分子を形成してダングリングボンドを生成する確率が高く、表面へ吸着する確率は低かったが、入射エネルギーが高い場合逆の結果を得た。ラジカルの運動エネルギー＝プラズマ中ガス温度が表面ダングリングボンドの密度に影響する可能性を明らかにした。