単結晶SiC基板の精密研磨技術

抄録

シリコンカーバイド（SiC）は，シリコン（Si）と比べ，バンドギャップが約3倍，絶縁破壊電界が約7倍であることなどから，電力利用の効率化を担うパワーデバイス用基板材料として有望視されている．しかし，SiCは，高硬度かつ熱的・化学的に安定なため，加工が非常に難しい．われわれは，鉄などの遷移金属と過酸化水素水の反応により生成されるOHラジカルを利用した加工法を提案し，SiC表面の加工への適用を検討している．本報告では，単結晶SiC基板の鏡面加工について報告する．