分光計測による薄片化シリコンウエハ厚み計測技術の開発

抄録

研削・研磨盤によるウエハ薄片化工程用の機上厚み検査装置として、バンド間遷移帯域近傍（波長600-1040nm）の光学分光計測による厚み計測装置の開発を行った。透過や反射スペクトルに現れるファブリーペロー干渉パターンやベール則による消光比特性を解析することで厚さ0.5micronから750micronに亘る広範囲のシリコンウエハ厚みを測定することができた。