室温プラズマ酸化を援用したSiC上へのグラフェン低温形成

抄録

グラフェンは、優れた電子移動度を持つことから、Siに代わる電界効果トランジスタのチャネル材料や高周波素子への応用が期待されている。現在注目されているSiCの熱分解によるグラフェン作製方法では、1500℃程度の高温プロセスを必要とする。我々は、原子レベルで平坦化されたSiCを初期基板として用い、室温プラズマ酸化を併用することで、1000℃以下の加熱でグラフェンを作製するプロセスを提案する。