SiCのプラズマ酸化を援用した低欠陥グラフェン形成に関する研究

酸化方法に依存したSiO₂/SiC界面の組成の違いと考察

抄録

SiC上にグラフェンを成長させる際に、同時にピット等の欠陥が生成されるという問題がある。我々はプラズマ酸化を援用することにより、ピット密度が低いグラフェンの形成を実現した。このプロセスでは、室温近傍でのプラズマ酸化に伴う、SiO₂/SiC界面のC原子層の形成が鍵となる。本研究では、このC原子層の結合状態を調査すると共に、酸化方法に依存したSiO₂/SiC界面の形成メカニズムの違いについて考察した。