両面研磨加工におけるウェーハ厚さむら抑制のための加工条件最適化

抄録

半導体デバイスの性能および生産性向上のため，基板材料であるシリコンウェーハの両面研磨加工では表面を高平坦に仕上げる，すなわち厚さむらを極めて小さくすることが強く求められている．そこで本研究では，ウェーハーキャリア間の摩擦およびウェーハー研磨パッド間の圧力分布に着目した両面研磨加工モデルを構築し，ウェーハの厚さむらを抑制できる加工条件を求め，実際に厚さむらを安定して抑制できることを明らかにした．