高性能圧電体膜の開発とMEMS応用（キーノートスピーチ）

抄録

近年、圧電薄膜とMEMS技術との組み合わせによる圧電MEMSデバイスの開発が進んでいる。圧電材料としてはPZT材料が用いられるのが一般的であるが、富士フイルムではNbを添加することによって高い圧電性能を実現した。本報告ではNb-PZT膜の特徴とMEMSデバイスへの応用について述べる。