半導体表面のグラフェンアシストエッチングに関する研究

STMによる還元グラフェンシートの局所構造観察

抄録

我々は、溶液中でグラフェンシートと接触した半導体表面が選択的にエッチングされることを初めて見出した。この現象を加工や研磨といった実用プロセスに展開するためには、さらなるエッチングレートの向上が不可欠である。ここで鍵となるのは、グラフェンシートの原子構造である。今回は、走査型トンネル顕微鏡を用いて、還元グラフェンシートの局所構造を観察・評価した結果について、報告する。