シリコン貫通電極を模しためっき進展観察用マイクロ流体デバイス

抄録

集積回路の性能向上のため，シリコン貫通電極(Through Silicon Via, TSV)を用いた３次元実装技術開発が進められている．TSVはシリコン基板上の深い孔に導電体を充填する必要があり，ボトムアップ堆積が実現できる電解銅めっきが検討されている．しかし，メカニズムには未だ不明な点が多い．本研究では，めっき挙動の詳細を理解するために，マイクロ流路内にTSVを模した構造を設け，めっき進展をin-situ観察できるマイクロ流体デバイスを製作した．