オゾンガスバブルスラリーによるSiC 基板の高能率研磨加工法の研究

抄録

現在，高効率なパワーデバイスの基板材料としてSiCが普及・拡大している．しかし，SiCは高硬度で化学的に安定な材料であり，CMPにおける低い研磨レートが課題である．本研究ではオゾンガスとナノバブルを援用したCMP手法を提案し，それによるSiCの高研磨レートの具現化を目的とする．本報告ではオゾンガスとナノバブルによるSiC基板表面の酸化効果を調査するとともに，SiC専用スラリーに迫る高研磨レートを取得した結果を述べる．