複数のナノバブルを用いたAlN基板の化学機械研磨における大規模分子動力学シミュレーション

抄録

窒化物半導体素子の性能向上に向けた界面の平坦化には、ナノバブルを導入した化学機械研磨（CMP）が有効である。そこで、ナノバブルの圧壊がCMPプロセスに与える影響を解明するため、分子動力学法を用いてAlN基板におけるナノバブル圧壊シミュレーションを行った。特に、大規模モデルによって複数のナノバブルを導入したときの挙動を解析し、スラリー内のナノバブルの個数、密度が研磨効率に与える影響を検討した。