アンモニア還元グラフェンを援用した化学エッチング法

Ge表面上へのトレンチ構造の形成

抄録

我々は，溶液中でグラフェンシートと接触した半導体表面が選択的にエッチングされる，グラフェン・アシストエッチングを見出し，窒素ドーピングや温度制御がエッチング速度に与える影響を調査してきた．今回は，酸化グラフェンに比べて高い触媒活性を有するアンモニア還元グラフェンを触媒として用いてトレンチ（溝）加工を行った結果について報告する。