β-Ga₂O₃薄膜とダイヤモンド基板の低温直接接合

抄録

本研究ではβ-Ga₂O₃薄膜およびダイヤモンド基板の表面をOH終端し、これら接触させた後に加熱し脱水反応させることで直接接合させた。これによりβ-Ga₂O₃を用いたパワー半導体の放熱が効率化され実用化を促進できる。