微小3次元構造アレイ作製におけるシリコン基板表面の結晶方位の影響

抄録

シリコン基材表面への微小な3次元構造体の作製手法として、除去加工であるエッチングが挙げられる。特に、特定の方向にのみ基材を除去する加工を異方性エッチングという。著者らはこれまでも、シリコン基材の異方性エッチングにより、シリコン基板表面へ、微小3次元構造体のアレイの作製を行ってきた。今回は、その3次元構造体アレイの作製において、シリコン基材の結晶方位が及ぼす影響等について検討した。