NH₃/H₂O₂/H₂O混合液処理を用いたダイヤモンド基板とSi基板の直接接合

抄録

ダイヤモンドはパワー半導体材料として期待されるが、大型基板製造が難しい。そのためSi基板上にダイヤモンド基板が接合した大型ダイヤモンドデバイス基板の実現が期待されている。本研究では、ダイヤモンド基板をNH₃/H₂O₂/H₂O混合液処理により、O₂プラズマ処理したSiO₂/Si基板と32 MPaの剪断強度で接合できることを示した。提案手法は一般的な洗浄処理と大気中低温アニール処理にて達成できるため、ダイヤモンドデバイス製造に大きく貢献しうる。