電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発（第5報） 表面粗さを低減させる電位条件の基礎検討

楊 旭; 楊 暁喆; 川合 健太郎; 有馬 健太; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2020S.0_669

2020年度精密工学会春季大会

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2020S.0_669

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2020年度精密工学会春季大会

開催地: 東京農工大学

開催日: 2020/03/17 - 2020/03/19

電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発（第5報）

表面粗さを低減させる電位条件の基礎検討

*楊旭, 楊暁喆, 川合健太郎, 有馬健太, 山村和也

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キーワード: SiC, 陽極酸化, 電気化学機械研磨, スラリーレス研磨

会議録・要旨集フリー

p. 669

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抄録

本研究では，SiCに対する陽極酸化を用いたスラリーレスの電気化学機械研磨法(ECMP)の開発を目的としているが，表面粗さを0.5 nm以下に低減することが困難であった．本報では，表面粗さを低減するための電位条件の基礎検討を行った結果，通常の電気化学機械研磨においては残留する高空間周波数の微細構造が全て除去され，ステップテラス構造が見られるSq表面粗さ0.231 nmの表面を得る条件を見出した．

責任著者(Corresponding author)

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