カーボンオニオンにより超精密研磨した単結晶SiC面の加工変質層評価

抄録

カーボンオニオンを砥粒として超精密研磨した単結晶SiC面の変質層の評価を試みた．異なる研磨圧力条件下でカーボンオニオンによる研磨を行い，研磨面に対して表面粗さ評価，X線ロッキングカーブ測定による結晶品質の評価を実施した．その結果，カーボンオニオンを用いた機械研磨で超平滑面が形成され，加工変質量が低減すること，また研磨圧力が小さいほどその効果が高いことを確認した．