単結晶ダイヤモンド(100)のレーザスライシング

抄録

ダイヤモンドは次世代半導体材料として期待されているが，高硬度かつ化学的に安定な難加工材料である．そこで超短パルスレーザを用い，劈開性を利用したレーザスライシングによる新たな剥離加工法を検討した．本研究では3mm角，厚さ0.5mmの単結晶ダイヤモンド(100)の内部にレーザを集光させ，劈開面である{111}面に沿ってレーザをW型となるように走査させた．その結果，W型の加工ライン間で劈開が連結し，全面剝離に成功した．