2-1 Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減(セッション2「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面,組織,管理,規格,プロジェクト管理」)

抄録

宇宙空間や原子炉周辺などにて半導体デバイスを使用した場合、高エネルギー荷電粒子照射によって過渡電流が発生し誤作動が引き起こされる(ソフトエラー)。SOI(Silicon on Insulator)デバイスはソフトエラー耐性に優れた構造であるものの、寄生バイポーラ効果による予想以上の荷電収集が確認されており、更なる耐性強化が望まれている。本研究では、デバイスシミュレーションを用いてTunnel FET(TFET)構造における重イオン照射誘起電流を評価し、ソフトエラー耐性について検討を行った。その結果、従来構造に比べ、過渡電流のパルス幅および収集電荷量が共に低減可能であることがわかり、TFETによる寄生バイポーラ効果の抑制を確認した。