Rh₂P/SiO₂系水素化脱硫触媒の活性に対するTi修飾の影響

抄録

Rh₂P/SiO₂系水素化脱硫(HDS)触媒の活性に対するTi修飾の影響について検討した。Ti修飾SiO₂のBET表面積はSiO₂と比較してほとんど低下しなかった。また、担持Rh-P触媒のHDS活性はTi修飾量5%の時に最大となった。さらに、Ti修飾によってRh-P触媒のCO吸着量はわずかに減少したが、TOFは向上した。Ti修飾SiO₂をRh-P触媒の担体に用いると、比較的高い分散性のRh₂Pの生成とTOFの向上により、高い活性が得られたと考えられる。