単結晶SiC基板の砥粒フリー電気化学的研磨法の基礎検討

抄録

本研究では、SiCの研磨を目的とし、SiC表面の陽極酸化を組み合わせた新たな研磨法を提案した。本稿ではSiC研磨の基礎的研究として、セリウム薄膜を利用したガラスの砥粒フリー研磨法を提案した。提案技術により、ガラスの鏡面研磨が可能であることを見出した。また、提案技術に紫外線照射を加えることでガラス研磨特性の向上に成功した。