Ga系エタン脱水素反応におけるBa添加効果の理論的検討

抄録

エタン脱水素反応に高い活性を示すGa₂O₃/a-Al₂O₃触媒にBaを添加することで、炭素析出の抑制が実現された。IR測定およびDFT計算の結果より、Ba添加によって触媒表面の4配位Gaサイトの割合が減少し、このようなサイトではエチレンの分解が起こりやすく、これが炭素析出につながっている可能性が考えられた。以上より、Baが4配位のGaサイトを選択的に被覆し、炭素析出が抑制されたと考えられる。