透過セクショントポグラフィにおける 4H-SiC の観察

抄録

　4H-SiC 昇華法結晶の断面試料に対し、透過セクショントポグラフィを行い、貫通らせん転位の挙動を調べた。そして、厚さ 0.75 mm の試料に対して、z 方向のスキャンを行い、コンピュータ上でデータを再構成することにより、３次元像を得ることに成功した。また、厚さを変化させた断面試料の測定を行い、典型的な厚さ（0.75 mm）の試料よりも４倍程度厚い 3.0 mm 厚の試料に対しても、トポグラフィ像を得ることに成功した。