SPring-8/SACLA利用研究成果集
Online ISSN : 2187-6886
Section B
イオン注入法により作製されたMg注入GaN中のMgの局所構造解析
米村 卓巳飯原 順次橋本 信斎藤 吉広中村 孝夫
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ジャーナル オープンアクセス

2014 年 2 巻 1 号 p. 54-56

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抄録
イオン注入法で作製された窒化ガリウム(以下、GaN)中のマグネシウム(以下、Mg)は、高温アニール処理を実施しても活性化しない課題がある。しかし、これまで高温アニール処理に伴うGaN中のMgの挙動を原子レベルで調査した報告はなく、Mgが不活性な原因は未解明である。今回、我々はBL27SUにて蛍光XAFS法を使って、高温アニール処理に伴うMgの局所構造変化を調査した。その結果、イオン注入されたMgの局所構造が高温アニール処理によって変化することが分かった。
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