ナノビームＸ線回折法を用いた積層セラミックコンデンサの誘電体層内における局所結晶構造解析

抄録

　積層セラミックコンデンサにおいて薄層化がトレンドとなっており、誘電体層の微細構造、内部電極-誘電体層の界面構造への関心が高まっている。本研究では、ナノビームＸ線回折法を用いて誘電体素子内部の局所構造解析を行った。その結果、誘電体素子内部に形成される圧縮応力に起因して、正方晶性やドメインの規則性に変化が生じることを明らかにした。これらの局所的な構造変化は、デバイス特性に影響を及ぼす可能性が示唆され、今後の薄層設計における重要な指標となることが期待される。