低温での電子線照射によるSi(001)-c(4x2)構造の変化

抄録

40K以下では、Si(001)-c(4x2)表面構造が電子線の照射によって乱されることを、LEEDによって観察した。この電子線照射による構造の無秩序化を、回折強度変化の電子線の強度とエネルギー, 試料温度に対する依存性について詳細に調べることによって検証した。これらの結果をもとに、その原因について議論する。