PbまたはSn吸着Ge(111)-√3x√3表面構造の低温における3x3相転移とそれに伴う電子状態の変化

抄録

Ge(111)表面上に1/3原子層のPbまたはSnを吸着させて作られる√3x√3構造は150Kまでの低温において3x3構造へと相転移し、その要因は未だ決定していない。今回、この表面に対して室温、65K、6KにおいてSTM観察、STS-IV測定を行った。その結果、65Kと6Kでは同様な3x3構造が観察されたものの、STS-IV曲線は電子状態が温度と共に明確に変化した。当日は表面電気伝導度測定の結果と併せ、この相転移の要因を探る。