金属-極薄アルミナ膜界面のポテンシャル

抄録

ＮｉＡｌ（１１０）およびＣｕ_-_９Ａｌ（１１１）表面に、厚さ１_-_４ｎｍのエピタキシャルアルミナ膜を成長させることに成功した。このアルミナ膜（絶縁体）_-_金属界面においては、絶縁体中のキャリア電子がほとんどないことから、バンドベンディングのような機構が働かず、界面でポテンシャルギャップが生じると予想される。ＵＰＳ、ＸＰＳ、ケルビン法を用いて界面のポテンシャル状態を測定した。