STMによる電子遷移を介した単分子分解反応の選択的な制御

抄録

Ni(110)表面に吸着したフォルメートにSTM探針から2.3V以上の電圧を印可すると、脱水反応が誘起されることが分かった。また印可電圧を高くするとさらに脱水素反応が起こった。Cu(110)基板において同様の実験を行うと、脱水素反応のみが観察された。STMからの電子注入によりC-H結合の切断が誘起され、生成したホットな二酸化炭素がCOに解離されるか否かにより反応の選択性が決定されることが示唆された。