Si(111)7×7再構成表面上Alナノクラスターの局在電子構造

抄録

Si(111)7×7再構成表面上にAlを約0.24ML蒸着することにより表面相に現れる長周期配列ナノ構造は局在した電子構造を持つことが予想されることから受発光素子・単一電子トランジスタ等への応用が期待される。我々はこのナノクラスターに対し，STMを利用して低温78KにおけるSTSとCITS測定を行ない，そのナノクラスターが高エネルギーギャップをもつ絶縁体を示し，またその原子構造とポテンシャルについての議論を行なう。