Au薄膜に対する乱れのSTM観察および弱局在の電気伝導測定

抄録

Si(111)表面に数MLの金原子を蒸着させると乱れの強い膜が得られる。STMによる観察の結果、作製条件によって乱れの程度を操作することに成功した。
続いて、μ4端子法による表面電気伝導の温度依存性を測定した。電気伝導度は乱れに応じて妥当に変化し、その温度依存性は温度の対数に比例する、弱局在の性質を示した。
当日は乱れが電気伝導に与える影響を議論する。