Si(110)-16x2清浄表面初期酸化過程の放射光・光電子分光による観察

抄録

Si(110)面は、デバイスの高速化および高集積化の点から次世代CMOSテクノロジーに必須の活性面として注目を集めている。こうした重要性にも関わらず、Si(110)面に対し、そのデバイス作製の鍵を握る極薄酸化膜の初期形成過程はこれまでほとんど解明されて来なかった。我々はリアルタイム放射光光電子分光法を用い，酸素ガスを用いたSi(110)-16x2 清浄表面への初期酸化過程を観察した。