Si量子ドットの多電子基底状態

抄録

酸化技術の向上により直径10nm以下のSi量子ドットが作製されており、室温動作の単電子トランジスタへの応用が期待されている。 しかし、Si結晶の異方的な有効質量と伝導帯端の多谷構造に起因してSi量子ドットの電子状態の理論的な解析が遅れている。 有効質量異方性及び多谷効果を考慮に入れたSi量子ドットの多電子基底状態について報告する。