石英単結晶上で成長した半導体単層カーボンナノチューブの選択的配向

抄録

化学気相蒸着法により、石英単結晶表面のステップ列に沿って配向した単層カーボンナノチューブが得られる事が報告されている。その配向メカニズムを調べるためラマンスペクトルの偏光依存性を測定し、Gバンド内に異なる大きさの偏光依存性を示す成分を観測した。ストークスとアンチストークススペクトルの比較などから観測されたGバンドの偏光依存性の違いが半導体・金属ナノチューブの配向の違いに起因する事を提案する。