界面偏析層による金属／半導体界面の仕事関数変化の理論

抄録

金属と半導体を接合した場合、界面にショットキー障壁が現れることが知られているが、最近の実験でこの界面にAlなどの極薄偏析層を形成すると、金属の仕事関数が偏析層で大きく変調されるという報告がなされている。しかしその起源は明らかでない。本研究では、第一原理計算を用いて、Au／HfO2界面にAl偏析層が出現した場合の仕事関数の変化の考察を行った。