半導体物性の理論予測とデータ駆動型新物質探索

抄録

新物質の探索を目的として候補物質のスクリーニングを行う際、基礎物性のみならず、格子欠陥を精確に評価することが重要となる。我々は第一原理計算による半導体の基礎物性・格子欠陥特性の高精度予測のための手法開発と計算結果のデータベース化を進めており、これにより効率的なスクリーニングが可能になると考えている。本講演では、このような計算手法とデータ駆動での新物質探索について、窒化物半導体の例を中心に紹介する。