イットリウム酸水素化物エピタキシャル薄膜における太陽光照射による大きな抵抗減少

抄録

イットリウム酸水素化物(YO_xH_y, 立方晶, a = 5.35 A)は太陽光照射により可視光透過率および電気抵抗率が低減するフォトクロミック特性を示す。本研究では、反応性マグネトロンスパッタ法によって新規にYO_xH_y(111)エピタキシャル薄膜を作製し、光照射に伴う電気抵抗の変化を調べた。すると、既報の多結晶薄膜に比べて2桁以上大きな抵抗変化を見出したので報告する。