Si基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成過程

抄録

我々はこれまでSi 基板上に形成した3C-SiC 薄膜の熱改質によるグラフェン形成，いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術について報告してきた．グラフェン化処理では，3C-SiC 薄膜を基板温度1200ºC 以上で真空中アニールする．同処理では，SiC 薄膜表面がグラフェン化するだけでなく，SiC薄膜の結晶性も変化するものと予想される．本研究では真空中高温アニール前後の3C-SiC 薄膜の結晶性及び薄膜表面モフォロジーの変化について調べたので報告する．