高温高圧合成基板によるホモエピタキシャルCVDダイヤモンド膜への影響評価とその低減

抄録

ダイヤモンドデバイスの実現には、低品質高温高圧ダイヤモンド基板がホモエピタキシャル膜に与える影響を低減することが必要不可欠である。本研究ではダイヤモンド自立膜を形成することでその結晶品質に与える影響を評価した。また、ホモエピタキシャル膜の高品質化にともなう高温高圧合成基板へのキャリア拡散を基板/ホモエピタキシャル膜界面にボロンドープ層を導入することで抑制することに成功した。