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AGUSTA MOHAMMAD KEMAL, NAKANISHI HIROSHI, KASAI HIDEAKI
セッションID: 4Aa-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
hydrazine, density functional theory, adsorption structure, adsorption mechanism, platinum, nickel
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下村 勝, 國原 千裕, 横原 大和
セッションID: 4Aa-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
清浄なシリコン表面上に有機分子を吸着させ、基板温度を制御することで、有機分子を配列させることができる。有機分子を配列させた表面上に、金属原子を供給することで、その吸着位置を制御できることが分かった。本講演ではSi(001)-2x1表面上にピラジン(C4H4N2)を一部配列させ、その上にインジウムを吸着させた場合の結果について発表する。まず、ピラジンが1次元状に表面上に配列する。インジウムは分子が存在する場所を避けて吸着するため、分子配列がインジウムの吸着位置を制御することできる。
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平岡 佳子, 相賀 史彦
セッションID: 4Aa-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
オゾン分解触媒MnO2の活性点MnをMn(OH)5でモデル化し、スピン状態を考慮した計算を行った。近づいてきた1個めのオゾンは分解して、Oが活性点Mnに結合し、O2が脱離する(活性化エネルギー~0.3eV)。2個めのオゾンがやってくると、Mnに結合したOと反応し、O2が2個脱離(反応障壁ゼロ)する。従って、活性点Mnは最初の状態に戻ることが分った。また、これらの反応でMnのスピン状態が変化することが分った。
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湊 丈俊, Pang Chi Lun, 浅尾 直樹, 山本 嘉則, 川合 真紀, 金 有洙
セッションID: 4Aa-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
TiO2の物性を制御する表面上水素の脱離反応をSTMを用いて誘起し、その反応機構を調べた。その結果、脱離反応への2つのしきい値が観察され、それらのしきい値は、探針-試料間の距離によって変化した。この結果は、探針-試料間の電場によって反応障壁が変化し、反応へのしきい値が変化することを示していると、現在のところ考えている。さらに、理論計算などにより詳細を検討し、発表にて報告する。
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藤谷 忠博, 中村 功, 秋田 知樹, 奥村 光隆, 春田 正毅
セッションID: 4Aa-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
異なるサイズのAu粒子を蒸着したAu/TiO
2(110)上でH
2-D
2交換反応を行い水素分子の解離反応について調べた結果,HD生成速度は,Au粒子とTiO
2界面に存在するAu原子数に依存していた。このことから,H
2-D
2交換反応はAu粒子とTiO
2の接合界面で進行している可能性が高いことがわかった.
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岡田 美智雄
セッションID: 4Aa-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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我々は、固体表面に衝突する際の原子や分子のもつ並進エネルギーや振動回転等の内部状態といった初期情報が、どのように伝達されて、最終的な表面化学反応生成物に至っているのかということに興味を持ち表面化学反応を研究してきている。ここでは、特に入射分子の配向に着目し、その情報がどのように反応過程を経て最終生成物に伝えられるのか、すなわち配向効果がどのように出現するのかを調べた結果をまとめて紹介する。
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佐竹 勇樹, 渡邉 研人, 横山 有太, 岡田 隆太, 山田 洋一, 佐々木 正洋
セッションID: 4Aa-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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希ガス原子線散乱はC60のような壊れやすい有機薄膜の計測に非常に有効な手法である。C60はCu(111)と非常に強く結合し、単分子層の物性は基板の影響を強く受けていることが知られている。本研究ではC60/Cu(111)の成長初期過程及び、単分子層と二層目との表面物性の違いについて計測した。その結果、吸着確率一定でlayer by layer成長し、単分子層と二層目との振動状態に大きな違いがあることが明らかになった。
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吉越 章隆, 寺岡 有殿
セッションID: 4Aa-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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本発表では,酸素分子の並進運動エネルギーに依存したSi(111)表面形状の違いをSTMによって観察したので報告する.並進運動エネルギーを0.06eVおよび2.2eVとした飽和吸着時の300nm×300nmには,ステップとテラスが観測された.テラス上には7×7構造は観察されず,ランダムに分布する凸凹が観察された.2.2eVでは,大きく明るい凸部分が観測され酸化物成長の促進が示唆された.
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新川 慶太朗, 呉 準杓, 斉藤 慶彦, 近藤 剛弘, 中村 潤児
セッションID: 4Aa-09S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
グラファイトの欠陥やステップ、テラス上の電子状態は、フェルミ面付近に状態密度を多く持ち、触媒活性点として機能している可能性がある。我々は電子供与体として良く知られているカリウムをグラファイト表面にドープしグラファイト表面の電子状態を変調させ、昇温脱離測定やHe原子線散乱手法を用いて表面での分子の吸着特性及び衝突散乱挙動へのカリウムドープの影響を調べた。
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櫻井 雅崇, 松島 龍夫, 近藤 剛弘, 中村 潤児
セッションID: 4Aa-10S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
Pd(112)上におけるN
2Oの分解サイトや分解反応メカニズムを明らかにするため, 角度分解昇温脱離計測を行った。この結果、試料に吸着した一部のN
2Oは分解反応を起こしN
2として脱離することが分かった。脱離N
2は [11-1]と[112]に平行な面内において斜め一方向に鋭く指向した。これは、N
2OがPd表面のステップサイトで分解していることを示している。
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田中 悟
セッションID: 4Ap-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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傾斜SiC表面には高温水素エッチングにより周期的ナノファセット(ナノ表面)が形成される.(0001)面と(11-2n)ファセットが対を形成し周期化することにより安定化するために生じる.このナノ表面構造は周期やファセット高さを比較的自在に制御することが可能であるため,ヘテロ系成長表面場として有効である.III族窒化物半導体やグラフェンの形成において興味ある表面物理現象を観察することができる.
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小野寺 信男, 小泉 淳, 小野 洋, 内田 和男, 野崎 眞次
セッションID: 4Ap-02S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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CdS-ZnOヘテロ接合のナノロッドの、特性評価と可視領域での光触媒としての効果について調べた。試料の作製方法は、硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンの混合液を利用し、水熱法によりナノロッドを作製した。次に、酢酸カドニウムとチオ尿素の溶液に交互に浸し、乾燥させ、CdSを堆積させた。評価方法としては、ジヒドロキシ安息香酸溶液に試料を入れ、可視光をあて、水溶液中の溶液の濃度の変化を調べた。
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保田 英洋, 今村 真幸, 中村 純, 根岸 雄一, 上田 茂典
セッションID: 4Ap-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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Siナノ粒子は量子サイズ効果や表面効果に起因して発光するが。本研究では、有機分子によって表面修飾した安定な表面を持ちサイズ分散の小さいSiナノ粒子を調製し、硬X線光電子分光測定および発光測定によって発光のメカニズムを明らかにすることを目的とする。その結果、観測される発光が電子-正孔対の再結合過程によるものであること、また、Siナノ粒子のサイズが小さくなると量子閉じ込め効果によりフォノンの関与しない擬似直接遷移による電子‐正孔対の再結合過程の割合が増加することを明らかにした。
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角田 譲, 巳ノ口 哲司, 新宮原 正三, 清水 智弘
セッションID: 4Ap-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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AAOテンプレートを利用したAu/NiO/Auナノワイヤの作製と評価
近年、ReRAM(Resistance Random Access Memory)が高速性、高記録密度、不揮発性、消費電力などの利点からユニバーサルメモリとして大きな注目を集めている。AAOテンプレートを利用して作製した微細な金属酸化物ナノワイヤを用いることにより、超高記録化が可能となる。今回Au/NiO/Au(直径70nm)ナノワイヤを作製し、電気的特性についての評価を行ったので報告する。
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庭野 道夫
セッションID: 4Ap-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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アルミナナノチューブや酸化チタンナノチューブを陽極酸化により作製し、それらをそれぞれ単電子トランジスタや色素増感太陽電池へ応用した研究例を紹介する。陽極酸化というボトムアッププロセスとトップダウンプロセスである半導体微細加工技術を組み合わせたハイブリッドプロセスを用いることにより、室温で動作する単電子トランジスタや、高変換効率の色素増感太陽電池の作製に成功した。
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金山 久倫, 佐藤 英樹
セッションID: 4Ap-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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現在,カーボンナノチューブ(CNT)を電界放射陰極やSPM探針、マイクロ放電電極などへ応用するための研究が活発に行われている。これらへの応用には,微小金属針先端にCNTをCVD法で直接成長する方法が有望と考えられる。しかしこの方法では,CNTの成長密度や成長方向の制御(配向制御)などを適切に行う必要がある。本研究では、これらの制御を適切に行うことを目的とした研究結果について報告する。
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岩田 晋弥, 福谷 克之, 佐藤 義倫, 田路 和幸
セッションID: 4Ap-07S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ナノサイズの細孔を持つ物質への分子の吸着,拡散,脱離などのダイナミクスは,平坦な表面と比較して未解明な点が非常に多い.本研究では,高純度のカーボンナノチューブへ水素,窒素,一酸化炭素などの分子を物理吸着させ,その吸着サイト,吸着エネルギーなどの分子の吸着状態や脱離のメカニズムを昇温脱離法と赤外吸収分光法を用いて解析したので報告する.
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仲 健太, 内田 貴司, 内山 英史, 浅地 豊久, 吉田 善一
セッションID: 4Ap-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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カーボンナノチューブ(CNT)を基板上に直接成長させる方法の一つにアルコールを用いる熱CVD法(A-CVD)がある。本研究ではA-CVD法において基板および気化したアルコールを別々に加熱し、低温でCNTを成長することのできる新たな手法を開発している。今回は装置の基本特性を確認するため、基板加熱温度800℃、気化したアルコール加熱温度800℃で実験を行い、単層CNTの成長を確認できたので報告する。
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春田 僚, 佐藤 拓郎, 庄村 知典, 石川 豊
セッションID: 4Ap-09
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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CVD法により成長させた単層カーボンナノチューブには、半導体性のものと金属性のものが混在していることが、よく知られている。これは、エレクトロニクスへの応用では、大きな問題となる。今回我々は、触媒であるコバルトを450℃で還元・微粒子化して、その後の成長過程をより低温で行うと、低温程金属性の割合が多くなることを見出した。
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豊田 浩孝
セッションID: 4Ba-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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マグネトロンスパッタを用いた酸化物薄膜形成はさまざまな分野において利用されている。しかし、スパッタ膜特性はマグネトロンプラズマの影響を受けやすく、膜特性の面内不均一などの問題も抱えているのが現状である。本講演は、スパッタ膜特性に大きな影響を及ぼすといわれている酸素負イオンに着目し、そのエネルギー分布およびその空間的変化を計測するとともに、これらの発生原因を明らかにする。
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柴田 猛順, 大場 弘則
セッションID: 4Ba-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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電子ビーム加熱蒸発により生成したCe、Dyの原子ビームの速度と準安定準位分布をレーザー分光で測定した。Ce原子は蒸発面近傍での膨張冷却により、加速されるとともに準安定励起準位から下準位に緩和し原子励起温度が低下する。これに対し、Ceは昇華性で蒸発面積を広くするので膨張冷却がない。このため速度は蒸発面温度で決まる速度であり。原子励起温度も蒸発面温度とほぼ等しくなった。
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柴田 猛順, 小倉 浩一, 小池 文博
セッションID: 4Ba-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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反応断面積が大きい電荷移行は多くのプラズマ中で重要な素過程である。ガドリニウムなどランタノイドの対称電荷移行は、電荷移行する6s電子の内側にf電子殻などがあり共鳴、非共鳴の反応経路がある。これまで共鳴、非共鳴の反応が独立に進むとして断面積を計算してきたが、共鳴、非共鳴の状態間にも移行がある。ここでは、ガドリニウム、ジスプロシウム電荷移行をすべての状態間の移行を考慮した計算を行った。その結果、これまでの計算値よりずっと大きく、測定値に近い値になった。
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日留川 紀彦, 中野 武雄, 馬場 茂
セッションID: 4Ba-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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HiPIMSは、高電力の短パルスを低い周波数で加え、高密度のプラズマを得る手法である。我々はこの手法においてパルスoff期間のターゲット電位を正に振ることで、薄膜の構造が著しく変化することを明らかにしてきた。今回はプローブ法によってプラズマの時間分解診断を行い、プラズマ電位がoff期電位に追随して上がる現象を確認した。これによって膜に入射するイオンのエネルギーが増し、膜構造が変化したと考えている。
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川村 健
セッションID: 4Ba-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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プラズマ流体シミュレーションはプラズマプロセスの解析や評価に有効な手段である。2次元モデルでのCF
4 、C
4F
8の解析研究は多いが、c-C
5F
8については、2次元でかつ十分な素過程を考慮した例は少ない。本講演ではc-C
5F
8の素過程について量子化学計算を用いて求めた衝突断面積、反応速度定数を2次元流体シミュレーションに適用し、RFプラズマにおける生成イオン・ラジカル組成を解析した結果を報告する。
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橘堂 貴則
セッションID: 4Ba-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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エッチングやアッシングなどのプラズマプロセスにおいては、高均一・大面積なプラズマの生成が必要である。本研究では、マルチスロット平板アンテナを用いて均一で制御性のよいプラズマの生成を目的とする。アンテナのスロット形状、設置高さなどの動的制御及び、電界分布の制御によりプラズマ中の電界モードに与える影響を調べ。方位角および半径方向モード数を変化させることで、プラズマの制御性の向上が図れることを示す。
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久保 隆
セッションID: 4Ba-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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これまでArプラズマ中に挿入した微小な金属片に流れる電流を測定し,Alに流れる電流が数十μs程度で減少してしまう現象について報告してきた.前回の報告ではイオンスパッタ処理後10μsの範囲でならプラズマ空間電位における電流がWとAlで一致したことを報告した.ただし計測回路の周波数特性に起因する誤差が測定データに5%程度含まれていたため,この誤差を除去した測定結果について今回報告する.
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小川 修一, 尾白 佳大, 佐藤 元伸, 二瓶 瑞久, 高桑 雄二
セッションID: 4Ba-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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キーワード:光電子制御プラズマ、プラズマCVD、ナノグラファイト
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鈴木 淳, 野中 秀彦
セッションID: 4Ba-09
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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水素プラズマでの測定では、プラズマによる気体成分の変化によるものと考えられる水晶振動子センサー出力の変化が観測される。センサーバイアス電圧を変えて測定を行ったところ、従来行われてきたプラズマ測定のひとつであるプローブ測定のIV特性と酷似した傾向が得られた。このことからこの水晶振動子センサー計測によってプラズマ中のイオンや電子といった電荷粒子の情報が得られる可能性が示された。
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池田 智, 佐藤 宗之
セッションID: 4Bp-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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結晶系の太陽電池においてテクスチャー構造は変換効率を向上させる上で非常に有効な技術として用いられている。今回処理時間2~5分で大面積を処理できるRIE技術を開発し、多結晶系太陽電池の試作を行った結果について報告する。
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林 徹文, 園部 勝, 加藤 雄二, 安岡 学
セッションID: 4Bp-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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HCDガンイオンプレーティング法を用いてガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)膜を成膜し、評価した。その結果についてご報告する。
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西山 洋, 田村 一成, 三浦 仁嗣, 井上 泰宣
セッションID: 4Bp-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
高品質な金属酸化物薄膜の作製が可能なCVD法が強く望まれている。我々は、触媒表面上で進行する水素と酸素の発熱反応により生成させた励起水分子を有機金属気体と反応させる新規なCEW-CVD (Catalytically Excited Water- promoted CVD)法を提案し、本手法を用いてA面サファイア基板上へZnO 薄膜を作製した。膜厚3~4μmのZnO膜のホール効果測定において140~160cm
2/Vsの移動度、および 2.2~4.5×10
17cm
-3のキャリア密度を示す光透過性に優れた透明な高品質ZnO薄膜を得た。
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山本 哲也, 佐藤 泰史 , 牧野 久雄, 山本 直樹
セッションID: 4Bp-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
酸化亜鉛(ZnO)透明電極の研究開発の現状、課題、将来展望などについて解説および議論を行う。ZnO透明導電膜の特徴は、高透過率、低抵抗率、低結晶化温度、低原材料価格、および人体への無害などが挙げられる。われわれは、最近、液晶テレビへの応用の結果、表示性能や信頼性評価などについて良好な結果を確認した。求められる電極特性は応用により異なる。電気・光学特性の制御因子とその制御法などについて議論する。
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信太 祐二, 山内 有二, 日野 友明, Cho Ho-Jun, Yoon Han Ki
セッションID: 4Bp-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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SiC/SiC複合材料は優れた高温強度特性と低放射化特性を有しており,核融合炉第一壁の候補材料となっている。第一壁における燃料水素の保持脱離挙動は燃料リサイクリングやトリチウムインベントリーの観点から重要である。本研究では,SiC/SiC複合材料に対し重水素照射実験を行い,燃料水素の保持脱離挙動を昇温脱離法で評価した。講演では,照射前後の組成変化や表面形態変化についても報告する予定である。
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増田 将英, 長田 昭義
セッションID: 4Bp-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
固体酸化物, YSZ, 薄膜, セルスタック, RFマグネトロンスパッタリング
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新田 智紀, 長田 昭義
セッションID: 4Bp-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
固体酸化物,GDC,薄膜,ヘリコン波励起プラズマ
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平野 俊, 長井 未紗子, 長田 昭義
セッションID: 4Bp-08
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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室温作動特性
プロトン伝導
真空蒸着装置
ベーマイト
単室型燃料電池
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田村 雅大, 涌井 貞一, 中村 淳
セッションID: 4Ca-01S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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次世代Ge-MOSFETの酸化膜材料候補の一つであるGeO
2を対象とし、外部電界下第一原理基底状態計算を用いて、GeO
2超薄膜及びGeO
2/Ge界面のナノスケール誘電特性を評価した。特に、局所誘電率に及ぼす酸素欠損の影響の結晶構造依存性について議論する。
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大杉 拓也, 中村 淳
セッションID: 4Ca-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
フリー
次世代SiC-MOSFETの酸化物材料として期待されるSiON超薄膜を対象とし、外部電界下における第一原理基底状態計算を用いて、SiC/SiON界面における誘電率の空間分布を評価した。特に、SiON/SiC界面の誘電率に影響を与える (1)基板結晶構造依存性 (2)価電子帯オフセットが誘電率に与える影響について議論する。
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鷹林 将, 久保 真人, 高橋 良太, 阿部 峻佑, 末光 哲也, 吹留 博一, 末光 眞希, 尾辻 泰一
セッションID: 4Ca-03
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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近年、ポストシリコン材料として、高移動度特性を有するグラフェンに大きな期待が集まっている。そのFET特性を向上させる際、グラフェン/金属電極オーミックコンタクトは重要な検討要素となっている。これまでのところTiが最も広く使われているが、電気化学分野においてはPt/Cの組み合わせは非常に一般的である。そこで本発表では、Ptをはじめとした10族元素(Ni, Pd)を用いた場合の電極コンタクトを考察した。
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佐藤 究, 小泉 淳, 小野 洋, 内田 和男, 野崎 眞次
セッションID: 4Ca-04S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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MOCVD法で結晶成長を行ったInGaPは、オーダリング現象によりバンドギャップが減少することが知られている。しかしオーダリング現象によるInGaP/GaAsヘテロ接合界面への影響は未だ不明な点も多い。本研究ではShubnikov-de Haas振動を観測することにより、オーダリング現象による界面物性への影響について調べた。
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山下 良之, 吉川 英樹, 上田 茂典, 知京 豊裕, 小林 啓介
セッションID: 4Ca-05
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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材料構造保持した状態でデバイス動作での電子状態を観測することに成功した。
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赤坂 哲也, 小林 康之, 嘉数 誠
セッションID: 4Ca-06
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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窒化物半導体において初めて作製された、ステップフリーGaN表面に関して講演を行う。ステップフリー面の表面平坦性や成長速度を従来の成長と比較しながら議論する。さらに、核成長とスパイラル成長モードにおける、過飽和度と成長速度について実験的に詳細に検討し、従来の結晶成長理論(BCF理論)との比較を行った結果についても報告する。
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藤原 康文, 西川 敦, 寺井 慶和
セッションID: 4Ca-07
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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我々は_III_-_V_族半導体中で希土類元素を原子のレベルで操ることにより、新しい物性・機能を効果的に発現させるとともに、それらを有効に活用した新規デバイスを創出することを目指している。近年、有機金属気相エピタキシャル法による高品質Eu添加GaNの成長と、それを活性層とした赤色発光ダイオードの室温動作に世界に先駆けて成功している。本講演では、それら研究成果に関する最近の進展について報告する。
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坂本 正人, 木村 鉄平, Alias Afishah, 植杉 克弘
セッションID: 4Ca-08S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ゾルゲル法を用いてSi(100)基板上にCuO,GaO,CuGaO
2薄膜を作製した.CuOでは700℃以下で結晶化することにより平坦な膜が作製できるが,850℃以上では高さ0.6μm,幅2μmのピラミッド状構造や,それらが直線状に並んだ構造が形成された.GaOはプリベークの昇温過程においてGaを含む原料分子が蒸発しやすく,緩やかな温度勾配でプリベークすることによりGaO膜が作製できた.CuOおよびGaOの前駆体溶液の混合比率を変えて結晶化し,CuGaO
2薄膜が作製できることを確認した.
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東 幹晃, 清田 英夫, 黒須 楯生, 千葉 雅史
セッションID: 4Ca-09
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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アクリロニトリル中で液相堆積した窒化炭素膜を超大規模集積回路用の層間絶縁体材料として応用することを想定し、膜の結合状態および電気的特性の物性的評価を行った。陽極に堆積された膜は主にC=NおよびC≡Nから構成された。窒化炭素膜を用いた金属‐絶縁体‐半導体キャパシタの容量‐電圧特性は蓄積および空乏を示し、液相堆積した窒化炭素膜を層間絶縁体材料として応用できる可能性が示された。
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松本 健俊, 山田 幹浩, 辻 博史, 谷口 研二, 久保田 靖, 今井 繁規, 寺川 澄雄, 小林 光
セッションID: 4Ca-10
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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携帯電子機器に用いられるシステム液晶ディスプレイは、低消費電力化が重要課題である。そこで、ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜表面を硝酸酸化法により低温で直接酸化し、シリコン酸化膜を化学気相堆積してゲート酸化膜を形成し、薄膜トランジスタ(TFT)を作成した。ゲート酸化膜厚を80 nmから20 nmにしてもゲートリーク電流を抑制でき、低電圧駆動により消費電力を従来の1/100に低減できた。0.9μmのゲート長を持つTFTの駆動に成功した。
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下村 政嗣
セッションID: 4Cp-01
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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生物の持つ多様な構造と機能を模倣した新しい材料・デバイスの研究開発が、今世紀になって欧米を中心に新しい展開をもたらしている。バイオミメティクス(生物模倣)は、新規なマテリアル・デバイスのデザインのみならず、生産技術の革新をも要求するものであり、自己組織化はその中心的な課題である。自己組織化プロセスによって作製した規則的なナノ・マイクロ構造によるバイオミメティック材料について紹介する。
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磯野 俊成, 山崎 憲慈, 和田 朋也, 羽中田 祥司, 荻野 俊郎
セッションID: 4Cp-02
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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我々は単結晶サファイア表面の原子配列を制御することで化学状態の相分離した表面を用い、生体固体界面の構築を行ってきた。細胞膜はラフトと呼ばれる相分離構造を形成し、シグナル伝達などの細胞機能を発現している。本研究では原子配列を制御したサファイア表面上に人工細胞膜を再構成させ、ラフト構造の形成制御を行った。
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松永 宗一郎, 山田 太郎, 川合 真紀
セッションID: 4Cp-03S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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本研究は代表的な生体表面構造である細胞膜の分子スケールにおける動的挙動を、走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて解明する研究である。金基板上に展開した脂質膜をモデルの細胞膜と見立てて水溶液中で作成し、STMでこの脂質膜表面を観測した。細胞膜を構成している脂質分子の構造の違いにより、脂質膜の物性に違いが現れることをSTMナノスケール観測を通じて明らかにすることができた。
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塚本 和己, 大谷 敏郎, 杉山 滋
セッションID: 4Cp-04
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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澱粉粒はアミロペクチン、アミロースとグルコースを基本構成単位とした高分子多糖類から形成されているため、その高次構造解析が非常に困難であり、その内部構造については未だ不明点が多い。そこで、我々は酸処理により局所分解した澱粉粒の内部構造をAFM観察することにより、澱粉粒内部構造の知見を得ようと試みた。
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