ナノ構造系の4端子抵抗測定におけるバイアス電圧の影響に関する理論研究

抄録

近年ナノスケールの4端子測定において強い量子効果を示す実験結果が得られている。本研究では現在主に、ナノチューブの4端子抵抗における負の4端子抵抗等の特異な振る舞いの解析に取り組んでいる。本発表においては、有限バイアスによる静電ポテンシャル勾配の効果を多端子電気伝導計算に導入し、4端子抵抗に対する有限バイアスの影響を評価する。