第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着

抄録

室温Si(111)7x7表面上ではNO分子は解離吸着することが知られている。今までに我々はSTMを用いて反応アドアトムにはそのバイアス依存性から大きく分けて２種類の吸着状態があることを明らかにしてきた。また、DFT-STATEの第一原理計算を用いて、Si(111)2x2表面上の吸着シミュレーション結果について紹介してきた。今回は、より7x7表面に近い4x2-H表面上での吸着シミュレーション結果について報告し、STM結果の解釈について議論する。