グラフェンへのイオン照射ダイナミクスの第一原理シミュレーション

抄録

グラフェンは高い電気伝導性や、熱伝導性により次世代のナノデバイスの材料として期待されている。
ナノデバイスへの応用を考えたとき、微細加工や欠陥形成などイオン照射は非常に有用であり、グラフェンへの影響を精査することが重要である。
本研究では、電子の励起状態を第一原理的に扱うことのできる時間依存密度汎関数法と分子動力学法を組み合わせたシミュレーションにより、グラフェンのイオン照射に対する応答を議論する。