遷移金属酸化物における抵抗変化現象と二次電子像の相関関係

抄録

走査型電子顕微鏡の二次電子像と材料の電気伝導度の一般的な関係は, 完全には明らかにされていない. 本研究では, DCバイアスを印加しながらAFMチップを走査させることによって, NiO膜の任意の場所に高抵抗領域, 低抵抗領域を書き込み, それぞれの領域における二次電子像をSEMにより評価した. その結果, メカニズムが未だ解明されていないNiO薄膜における抵抗変化現象と二次電子像のコントラストとの間に相関があることがわかったので報告する