サファイア基板上にMBE成長したGaAsの評価

抄録

サファイア基板上にGaAsを成長することができれば，1枚の基板上でRGBフルカラーの発光デバイスと，GaAsによる高速電子デバイスを有する光電子集積回路が実現する．本研究では，低温GaAs層をBuffer層として導入した二段階成長法を用いて，単結晶GaAs薄膜の成長を試みた．その結果，低温GaAsバッファ層の成長条件が高温GaAs薄膜の結晶性に影響を与えることが明らかとなった．