Si(111)表面室温酸化の光電子分光観察：仕事関数と酸化膜被覆率

抄録

初期酸化過程の酸素の挙動を明らかにするために　Si(111)表面の室温初期酸化過程を紫外線光電子分光で観察した。 酸素暴露直後、仕事関数は急激に増加した。短時間の酸素暴露後に酸素の供給を停止したが、仕事関数は減少した。このことは、ins-paul構造がins + ad-ins構造に変化していることを示している。このような吸着酸素の挙動について、酸化膜被覆率と仕事関数の相関から議論する。