Ni/Cu(001)超薄膜の電子状態の膜厚依存性

抄録

Cu(001)上に成長させたNi超薄膜は6~8MLを境界に面内磁気異方性から表面垂直磁気異方性に転移することが知られている。この現象を電子状態の観点から解明するため、角度分解光電子分光(ARPES)実験を行った。試料の膜厚はRHEED振動を観測することで制御し、作成を行った。磁気異方性転移前後の膜厚を含むいくつかの膜厚の試料を作成し、それらの電子状態を直接観測した。