高磁場下サブケルビン・マイクロ４端子プローブ装置の開発

抄録

本研究では、極低温高磁場でのマイクロ４端子プローブ法による表面電気伝導測定を可能にする「サブケルビン・マイクロ４端子プローブ装置」の開発を行った。He4を用いたソープションポンプ方式による冷却系により～800mKへの到達を確認し、同時に超伝導コイルによって磁場７Tへの到達も確認した。当日は装置の詳細と、測定結果について詳しく報告する。