3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間分解界面電子状態分析

抄録

グラフェン電界効果トランジスタは最近新たなデバイスとして注目されているが、シリコンを凌ぐ高速動作には至っておらず、グラフェンシートと金属電極界面で生じる電荷移動がその原因に挙げられている。本研究では、3DnanoESCA装置を用いる事で、今まで不可能だったプロセス過程で付着するコンタミの影響を排除した電荷移動領域の定量的評価と深さ方向結合状態分析を、nmレベルの高空間分解能で行うことに成功した。