Ge(100)-2×1表面の超音速酸素分子線による室温酸化促進

抄録

電界効果トランジスタの新チャネル材料として、Siよりもキャリア移動度等で優れたGeが注目され、Ge酸化物とその生成機構の解明が重要となっている。本研究では、代表的な低指数面であるGe(100)-2×1表面の超音速酸素分子線（2.2eV）とバックフィリングによる室温酸化を放射光XPSで比較した。分子線による吸着曲線の変化、吸着酸素量の増加と関連する吸着サイトの違いを明らかにしたので報告する。